Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
NP80N055MHE-S18-AY
Product Overview
Tillverkare:
Renesas
DiGi Electronics Delenummer:
NP80N055MHE-S18-AY-DG
Beskrivning:
NP80N055MHE-S18-AY - SWITCHINGN-
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole MP-25K
Inventarier:
2400 Pcs Ny Original I Lager
12976842
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NP80N055MHE-S18-AY Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
MP-25K
Paket / Fodral
TO-220-3
Ytterligare information
Standard-paket
135
Andra namn
2156-NP80N055MHE-S18-AY
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP80NF55-08
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
48
DEL NUMMER
STP80NF55-08-DG
ENHETSPRIS
1.25
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDBL0150N60
FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE
BUK7225-55A,118
N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEV
UPA2706GR-E1-AT
UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE
NP82N10PUF-E1-AY
NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF