NP80N055MHE-S18-AY
Tillverkare Produktnummer:

NP80N055MHE-S18-AY

Product Overview

Tillverkare:

Renesas

DiGi Electronics Delenummer:

NP80N055MHE-S18-AY-DG

Beskrivning:

NP80N055MHE-S18-AY - SWITCHINGN-
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole MP-25K

Inventarier:

2400 Pcs Ny Original I Lager
12976842
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

NP80N055MHE-S18-AY Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
MP-25K
Paket / Fodral
TO-220-3

Ytterligare information

Standard-paket
135
Andra namn
2156-NP80N055MHE-S18-AY

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
STP80NF55-08
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
48
DEL NUMMER
STP80NF55-08-DG
ENHETSPRIS
1.25
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDBL0150N60

FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE

nxp-semiconductors

BUK7225-55A,118

N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEV

renesas-electronics-america

UPA2706GR-E1-AT

UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE

renesas-electronics-america

NP82N10PUF-E1-AY

NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF