FDBL0150N60
Tillverkare Produktnummer:

FDBL0150N60

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDBL0150N60-DG

Beskrivning:

FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 240A (Tc) 357W (Tj) Surface Mount 8-HPSOF

Inventarier:

2380 Pcs Ny Original I Lager
12976860
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDBL0150N60 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
240A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
169 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
357W (Tj)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-HPSOF
Paket / Fodral
8-PowerSFN

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
67
Andra namn
2156-FDBL0150N60

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
nxp-semiconductors

BUK7225-55A,118

N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEV

renesas-electronics-america

UPA2706GR-E1-AT

UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE

renesas-electronics-america

NP82N10PUF-E1-AY

NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF

renesas-electronics-america

2SK3447TZ-E

2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL