Tillverkare Produktnummer:
RFD16N05
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
RFD16N05-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 50 V 16A (Tc) 72W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventarier:
12840400
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RFD16N05 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
50 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
47mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 20 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
72W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I-PAK
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
RFD16
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
RFD16N05-NDR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTTFS5C453NLTAG
MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
BSC057N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
