Tillverkare Produktnummer:
BSC057N08NS3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC057N08NS3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventarier:
14602 Pcs Ny Original I Lager
12840414
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC057N08NS3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 73µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 114W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-5
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC057
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC057N08NS3 GCT-DG
BSC057N08NS3 G
BSC057N08NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC057N08NS3GATMA1TR
SP000447542
2156-BSC057N08NS3GATMA1TR
BSC057N08NS3GATMA1DKR
BSC057N08NS3 GDKR-DG
BSC057N08NS3 GCT
BSC057N08NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC057N08NS3 GDKR
BSC057N08NS3 GTR-DG
BSC057N08NS3G
BSC057N08NS3GATMA1CT
BSC057N08NS3 G-DG
BSC057N08NS3 GTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
NDD04N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
NVMFS5C430NLT1G
MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
