Tillverkare Produktnummer:
NTZD5110NT1G
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTZD5110NT1G-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563
Inventarier:
21588 Pcs Ny Original I Lager
12918378
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTZD5110NT1G Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
294mA
rds på (max) @ id, vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
24.5pF @ 20V
Effekt - Max
250mW
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-563, SOT-666
Paket för leverantörsenhet
SOT-563
Grundläggande produktnummer
NTZD5110
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
ONSONSNTZD5110NT1G
2156-NTZD5110NT1G-OS
NTZD5110NT1GOSTR
NTZD5110NT1G-DG
NTZD5110NT1GOSCT
NTZD5110NT1GOSDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQJ963EP-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
SQJ844AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
SQJB68EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
