Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SQJ844AEP-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQJ844AEP-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 30V 8A 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
12918426
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQJ844AEP-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A
rds på (max) @ id, vgs
16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1161pF @ 15V
Effekt - Max
48W
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8 Dual
Grundläggande produktnummer
SQJ844
Datablad och dokument
Datablad
SQJ844AEP
Datasheets
SQJ844AEP-T1_GE3
HTML-Datasheet
SQJ844AEP-T1_GE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SQJ844AEP-T1_GE3DKR
SQJ844AEP-T1_GE3CT
SQJ844AEP-T1-GE3
742-SQJ844AEP-T1_GE3CT
742-SQJ844AEP-T1_GE3TR
SQJ844AEP-T1_GE3DKR-DG
SQJ844AEP-T1_GE3-DG
SQJ844AEP-T1_GE3TR-DG
SQJ844AEP-T1_GE3TR
SQJ844AEP-T1_GE3CT-DG
742-SQJ844AEP-T1_GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQJB68EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
SI1563EDH-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
SQJ570EP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
SI3993DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP