Tillverkare Produktnummer:

NTMKB4895NT1G

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NTMKB4895NT1G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 15A/66A 4ICEPAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 30 V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)

Inventarier:

Förfrågan Online

12939000

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

NTMKB4895NT1G Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

15A (Ta), 66A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1644 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)

Paket / Fodral

4-ICEPAK

Grundläggande produktnummer

NTMKB4

Datablad och dokument

Datasheets

HTML-Datasheet

NTMKB4895NT1G-DG

Ytterligare information

Standard-paket

1,500

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

NVB190N65S3F

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

onsemi

NVGS5120PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

renesas-electronics-america

NP15P04SLG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 15A TO252

renesas-electronics-america

NP82N03PUG-E1-AY

MOSFET N-CH 30V 82A TO263