Tillverkare Produktnummer:
NP82N03PUG-E1-AY
Product Overview
Tillverkare:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
NP82N03PUG-E1-AY-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 82A TO263
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
12939014
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NP82N03PUG-E1-AY Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.8mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9080 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.8W (Ta), 143W (Tc)
Drifttemperatur
175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
800
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STD155N3LH6
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2446
DEL NUMMER
STD155N3LH6-DG
ENHETSPRIS
0.81
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PSMN2R7-30BL,118
Tillverkare
NXP USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1450
DEL NUMMER
PSMN2R7-30BL,118-DG
ENHETSPRIS
0.73
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTMFS4C01NT1G
MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
CMS01P10T-HF
MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23-3
CMS61P06CT-HF
MOSFET P-CH 60V 61A TO220AB
