Tillverkare Produktnummer:
NTJD4152PT1G
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTJD4152PT1G-DG
Beskrivning:
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 880mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventarier:
15411 Pcs Ny Original I Lager
12842210
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTJD4152PT1G Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
880mA
rds på (max) @ id, vgs
260mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
155pF @ 20V
Effekt - Max
272mW
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket för leverantörsenhet
SC-88/SC70-6/SOT-363
Grundläggande produktnummer
NTJD4152
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
NTJD4152PT1GOSDKR
NTJD4152PT1GOSCT
NTJD4152PT1GOSTR
2832-NTJD4152PT1GTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
QJD1210010
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
NVMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
