NTMFD5C650NLT1G
Tillverkare Produktnummer:

NTMFD5C650NLT1G

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NTMFD5C650NLT1G-DG

Beskrivning:

MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Inventarier:

Förfrågan Online
12842321
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

NTMFD5C650NLT1G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta), 111A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 98µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2546pF @ 25V
Effekt - Max
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Paket för leverantörsenhet
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grundläggande produktnummer
NTMFD5

Datablad och dokument

Datablad
NTMFD5C650NL
Datasheets
NTMFD5C650NLT1G
HTML-Datasheet
NTMFD5C650NLT1G-DG

Ytterligare information

Standard-paket
1,500
Andra namn
488-NTMFD5C650NLT1GTR
488-NTMFD5C650NLT1GDKR
488-NTMFD5C650NLT1GCT
NTMFD5C650NLT1G-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

NTGD3133PT1G

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

infineon-technologies

2N7002DW L6327

MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

onsemi

NTZD3155CT2G

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

onsemi

NVMFD5877NLT3G

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN