Tillverkare Produktnummer:
NTHL080N120SC1
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTHL080N120SC1-DG
Beskrivning:
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 44A (Tc) 348W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
12857761
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTHL080N120SC1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -15V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
348W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
NTHL080
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
450
Andra namn
NTHL080N120SC1OS
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
NTHL080N120SC1A
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
249
DEL NUMMER
NTHL080N120SC1A-DG
ENHETSPRIS
6.37
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NVMFS5C426NAFT3G
MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
BUZ32
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
NTMS4700NR2G
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
