Tillverkare Produktnummer:
NDS9407_G
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NDS9407_G-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
12857767
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NDS9407_G Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
150mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
732 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
NDS940
Ytterligare information
Standard-paket
1
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NVD5117PLT4G-VF01
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
NTD5865NL-1G
MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
NTMFD4C50NT1G
MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
