Tillverkare Produktnummer:
NTH4L045N065SC1
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTH4L045N065SC1-DG
Beskrivning:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventarier:
484 Pcs Ny Original I Lager
12964310
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTH4L045N065SC1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
15V, 18V
rds på (max) @ id, vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 8mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 325 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
187W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-4L
Paket / Fodral
TO-247-4
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
488-NTH4L045N065SC1
488-NTH4L045N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1CT
488-NTH4L045N065SC1TR
488-NTH4L045N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1DKR
488-NTH4L045N065SC1TR-DG
488-NTH4L045N065SC1CT-DG
488-NTH4L045N065SC1DKR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM3K7002KF,LXHF
SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270
SQJA16EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIR122LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
