Tillverkare Produktnummer:
SQJA16EP-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQJA16EP-T1_GE3-DG
Beskrivning:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 278A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
3308 Pcs Ny Original I Lager
12964335
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQJA16EP-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
278A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5485 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
500W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SQJA16EP-T1_GE3CT
742-SQJA16EP-T1_GE3DKR
742-SQJA16EP-T1_GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIR122LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SI7102DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
