Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FQP6N90C
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQP6N90C-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 6A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
Förfrågan Online
12839651
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQP6N90C Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1770 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
167W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FQP6
Datablad och dokument
Datablad
FQP6N90C, FQPF6N90C
Datasheets
FQP6N90C
HTML-Datasheet
FQP6N90C-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
2156-FQP6N90C
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFP4N85X
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFP4N85X-DG
ENHETSPRIS
1.73
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP6NK90Z
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
990
DEL NUMMER
STP6NK90Z-DG
ENHETSPRIS
1.41
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
FQP9N90C
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
194
DEL NUMMER
FQP9N90C-DG
ENHETSPRIS
1.69
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQP6N80C
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
FDT3N40TF
MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
FQP7P20
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3
FDS4080N3
MOSFET N-CH 40V 13A 8SO