Tillverkare Produktnummer:
FQP9N90C
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQP9N90C-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
194 Pcs Ny Original I Lager
12836538
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQP9N90C Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
205W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FQP9
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
FAIFSCFQP9N90C
FQP9N90COS
FQP9N90C-DG
FQP9N90CFS-DG
2156-FQP9N90C-OS
FQP9N90CFS
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQA13N50CF_F109
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
FDD6796
MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
FDN5630
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
