Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FQH8N100C
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQH8N100C-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
Förfrågan Online
12840493
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQH8N100C Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3220 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
225W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
FQH8N100
Datablad och dokument
Datablad
FQH8N100C
Datasheets
FQH8N100C
HTML-Datasheet
FQH8N100C-DG
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
2156-FQH8N100C-OS
ONSONSFQH8N100C
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STW7N95K3
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STW7N95K3-DG
ENHETSPRIS
2.86
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
APT8M100B
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
37
DEL NUMMER
APT8M100B-DG
ENHETSPRIS
3.45
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXFH12N120P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFH12N120P-DG
ENHETSPRIS
10.90
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STW10N105K5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STW10N105K5-DG
ENHETSPRIS
2.07
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
FQA8N100C
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
230
DEL NUMMER
FQA8N100C-DG
ENHETSPRIS
2.49
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQB13N10TM
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
NTD4909N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
MCH3481-TL-W
MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3
NTD4979NT4G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK