Tillverkare Produktnummer:
FQA8N100C
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQA8N100C-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventarier:
230 Pcs Ny Original I Lager
12849016
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQA8N100C Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3220 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
225W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3PN
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
FQA8
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
FQA8N100C-DG
FQA8N100CFS
2156-FQA8N100C-OS
ONSONSFQA8N100C
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AOW25S65
MOSFET N-CH 650V 25A TO262
CPH3362-TL-W
MOSFET P-CH 100V 700MA 3CPH
NCV8440STT3G
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
