FDT86102LZ
Tillverkare Produktnummer:

FDT86102LZ

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDT86102LZ-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Inventarier:

7191 Pcs Ny Original I Lager
12848072
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDT86102LZ Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
28mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.2W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-223-4
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
FDT86102

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
4,000
Andra namn
FDT86102LZ-DG
FDT86102LZFSTR
FDT86102LZFSCT
FDT86102LZFSDKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
onsemi

NTD4863NAT4G

MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK

onsemi

FDFS6N303

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

onsemi

FQB5N50CTM

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

onsemi

FDS8870

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC