FDT86102LZ

Tillverkare Produktnummer:

FDT86102LZ

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDT86102LZ-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 100 V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Inventarier:

7191 Pcs Ny Original I Lager

12848072

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDT86102LZ Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

100 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

6.6A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

28mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1490 pF @ 50 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.2W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

SOT-223-4

Paket / Fodral

TO-261-4, TO-261AA

Grundläggande produktnummer

FDT86102

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

4,000

Andra namn

FDT86102LZ-DG

FDT86102LZFSTR

FDT86102LZFSCT

FDT86102LZFSDKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

NTD4863NAT4G

MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK

onsemi

FDFS6N303

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

onsemi

FQB5N50CTM

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

onsemi

FDS8870

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC