Tillverkare Produktnummer:
FDFS6N303
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDFS6N303-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
12848074
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
ScZJ
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDFS6N303 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
35mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 15 V
FET-funktion
Schottky Diode (Isolated)
Effektförlust (max)
900mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
FDFS6
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
FDFS6N303TR
FDFS6N303_NLTR-DG
FDFS6N303CT
FDFS6N303CT-NDR
FDFS6N303_NLCT-DG
FDFS6N303DKR
FDFS6N303_NLTR
FDFS6N303_NLCT
FDFS6N303TR-NDR
FDFS6N303_NL
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQB5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
FDS8870
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
FQP11N50CF
MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
