FDS6064N3

Tillverkare Produktnummer:

FDS6064N3

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDS6064N3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 20V 23A 8SO

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP

Inventarier:

Förfrågan Online

12847527

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDS6064N3 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

-

Serie

PowerTrench®

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

20 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

23A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

1.8V, 4.5V

rds på (max) @ id, vgs

4mOhm @ 23A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

98 nC @ 4.5 V

Vgs (max)

±8V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

7191 pF @ 10 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

8-SO FLMP

Paket / Fodral

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Grundläggande produktnummer

FDS60

Datablad och dokument

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

2,500

Andra namn

FDS6064N3_NLTR-DG

FDS6064N3_NL

FDS6064N3TR-NDR

FDS6064N3DKR

FDS6064N3CT-NDR

FDS6064N3_NLCT

FDS6064N3TR

FDS6064N3_NLCT-DG

FDS6064N3_NLTR

FDS6064N3CT

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

FDS9412A

MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC

onsemi

NTD5807NT4G

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

onsemi

BS170_L34Z

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

onsemi

FDMC7692S-F126

MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP