Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
BS170_L34Z
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
BS170_L34Z-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventarier:
Förfrågan Online
12847532
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BS170_L34Z Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
rds på (max) @ id, vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
830mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-92-3
Paket / Fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Grundläggande produktnummer
BS170
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
BS170-D27Z
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2869
DEL NUMMER
BS170-D27Z-DG
ENHETSPRIS
0.06
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
VN10KN3-G
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
6680
DEL NUMMER
VN10KN3-G-DG
ENHETSPRIS
0.44
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDMC7692S-F126
MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
FDPF5N50NZU
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
FDD5N50UTM-WS
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
FQD10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK