Tillverkare Produktnummer:
FDP050AN06A0
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDP050AN06A0-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
6627 Pcs Ny Original I Lager
12838136
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDP050AN06A0 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
245W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FDP050
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AUIRFS3004TRL
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3
FQP32N12V2
MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
FCB110N65F
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK