Tillverkare Produktnummer:
FDMC8200S
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDMC8200S-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Inventarier:
12848119
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDMC8200S Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A, 8.5A
rds på (max) @ id, vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 15V
Effekt - Max
700mW, 1W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-PowerWDFN
Paket för leverantörsenhet
8-Power33 (3x3)
Grundläggande produktnummer
FDMC82
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
FDMC8200S-DG
FDMC8200SDKR
FDMC8200STR
2832-FDMC8200STR
FDMC8200SCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDMA2002NZ_F130
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
IPG20N06S2L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
NDS9933A
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8SOIC
