Tillverkare Produktnummer:
IPG20N06S2L35AATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPG20N06S2L35AATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 55V 20A (Tc) 65W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Inventarier:
14710 Pcs Ny Original I Lager
12848130
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPG20N06S2L35AATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 27µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 25V
Effekt - Max
65W
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-10
Grundläggande produktnummer
IPG20N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
2156-IPG20N06S2L35AATMA1
INFINFIPG20N06S2L35AATMA1
IPG20N06S2L35AATMA1DKR
SP001023838
IPG20N06S2L35AATMA1CT
IPG20N06S2L35AATMA1TR
IPG20N06S2L35AATMA1-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NDS9933A
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8SOIC
FDG6313N
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
FDS6911
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC