Tillverkare Produktnummer:
FDI2532
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDI2532-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventarier:
12836349
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDI2532 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Ta), 79A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
16mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5870 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
310W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262 (I2PAK)
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
FDI2532
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FCU4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
FQP6P25
MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3
HUF76429S3S
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
