Tillverkare Produktnummer:
FQP6P25
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQP6P25-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 250 V 6A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
12836353
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQP6P25 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
QFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
780 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
90W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FQP6
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
HUF76429S3S
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
CPH3355-TL-H
MOSFET P-CH 30V 2.5A 3CPH
FDS4410
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
