FDG314P

Tillverkare Produktnummer:

FDG314P

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDG314P-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 25V 650MA SC88

Detaljerad beskrivning:

P-Channel 25 V 650mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventarier:

Förfrågan Online

12848108

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDG314P Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

P-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

25 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

650mA (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

2.7V, 4.5V

rds på (max) @ id, vgs

1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

1.5 nC @ 4.5 V

Vgs (max)

±8V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

63 pF @ 10 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

750mW (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

SC-88 (SC-70-6)

Paket / Fodral

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Grundläggande produktnummer

FDG314

Datablad och dokument

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

3,000

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.21.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER

NTJS4151PT1G

Tillverkare

onsemi

ANTAL TILLGÄNGLIGT

10423

DEL NUMMER

NTJS4151PT1G-DG

ENHETSPRIS

0.08

Ersättnings typ

Similar

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

CPH6350-TL-W

MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH

onsemi

FDZ294N

MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA

alpha-and-omega-semiconductor

AOT42S60L

MOSFET N-CH 600V 37A TO220

onsemi

FDD6512A

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK