FDD6512A

Tillverkare Produktnummer:

FDD6512A

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDD6512A-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

Förfrågan Online

12848114

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDD6512A Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

-

Serie

PowerTrench®

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

20 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

10.7A (Ta), 36A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

2.5V, 4.5V

rds på (max) @ id, vgs

21mOhm @ 10.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

19 nC @ 4.5 V

Vgs (max)

±12V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1082 pF @ 10 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3.8W (Ta), 43W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

TO-252AA

Paket / Fodral

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Grundläggande produktnummer

FDD651

Datablad och dokument

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

2,500

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

NTD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

onsemi

NTMFS5C673NLT3G

MOSFET N-CH 60V 5DFN

onsemi

FDN359AN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN