Tillverkare Produktnummer:

FDC6302P

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDC6302P-DG

Beskrivning:

MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6

Detaljerad beskrivning:

Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

Inventarier:

Förfrågan Online

12836886

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDC6302P Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer

Tillverkare

onsemi

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguration

2 P-Channel (Dual)

FET-funktion

Logic Level Gate

Tömning till källspänning (Vdss)

25V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

120mA

rds på (max) @ id, vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 10V

Effekt - Max

700mW

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket / Fodral

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paket för leverantörsenhet

SuperSOT™-6

Grundläggande produktnummer

FDC6302

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

3,000

Andra namn

FDC6302PDKR

2832-FDC6302PTR

FDC6302P-DG

FDC6302PCT

FDC6302PTR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.21.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER

NTJD4152PT1G

Tillverkare

onsemi

ANTAL TILLGÄNGLIGT

15411

DEL NUMMER

NTJD4152PT1G-DG

ENHETSPRIS

0.10

Ersättnings typ

Similar

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

FDMS1D2N03DSD

MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN

onsemi

FDMS3604AS

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

onsemi

FDS6984S

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

onsemi

ECH8652-TL-H

MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH