Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FCP190N65S3
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FCP190N65S3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
Förfrågan Online
12932494
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCP190N65S3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
SuperFET® III
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.7mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
144W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FCP190
Datablad och dokument
Datablad
FCP190N65S3
Datasheets
FCP190N65S3
HTML-Datasheet
FCP190N65S3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2156-FCP190N65S3-OS
ONSONSFCP190N65S3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SIHP22N60E-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
SIHP22N60E-GE3-DG
ENHETSPRIS
1.67
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
SPP24N60C3XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
129
DEL NUMMER
SPP24N60C3XKSA1-DG
ENHETSPRIS
2.95
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
AOT25S65L
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
AOT25S65L-DG
ENHETSPRIS
1.99
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXFP22N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFP22N65X2-DG
ENHETSPRIS
2.43
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
TK16E60W,S1VX
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
39
DEL NUMMER
TK16E60W,S1VX-DG
ENHETSPRIS
1.10
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
HUF75343S3_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2499-Z-AZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
HUF76145S3S
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2529-E
N-CHANNEL POWER MOSFET