2SK4209
Tillverkare Produktnummer:

2SK4209

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

2SK4209-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB

Inventarier:

Förfrågan Online
12832685
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

2SK4209 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3PB
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
2SK4209

Datablad och dokument

Datasheets
2SK4209
HTML-Datasheet
2SK4209-DG

Ytterligare information

Standard-paket
100

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
FQA13N80-F109
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
76
DEL NUMMER
FQA13N80-F109-DG
ENHETSPRIS
2.65
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

2SK3704

MOSFET N-CH 60V 45A TO220ML

nexperia

BUK7Y3R0-40HX

MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

nexperia

PSMN2R5-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

nexperia

BUK9509-40B,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB