Tillverkare Produktnummer:
FQA13N80-F109
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FQA13N80-F109-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 12.6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventarier:
76 Pcs Ny Original I Lager
12837028
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FQA13N80-F109 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
750mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3PN
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
FQA13
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
FQA13N80_F109
FQA13N80_F109-DG
FQA13N80_F109FS-DG
ONSONSFQA13N80-F109
FQA13N80F109
2156-FQA13N80-F109-OS
FQA13N80_F109FS
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDMS86380-F085
MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
FDMC3020DC
MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
FQA44N30
MOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN
