Tillverkare Produktnummer:
BUK751R8-40E127
Product Overview
Tillverkare:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
BUK751R8-40E127-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
12931490
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BUK751R8-40E127 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
NXP Semiconductors
Förpackning
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11340 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
349W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
314
Andra namn
2156-BUK751R8-40E127
NEXNXPBUK751R8-40E127
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
Not applicable
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF244
N-CHANNEL POWER MOSFET
3LN01CPA-TB-E
NCH 1.5V DRIVE SERIES
3LN03M-TL-E
N-CHANNEL SILICON MOSFET
