IRF244
Tillverkare Produktnummer:

IRF244

Product Overview

Tillverkare:

Harris Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

IRF244-DG

Beskrivning:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-3

Inventarier:

39162 Pcs Ny Original I Lager
12931491
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF244 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3
Paket / Fodral
TO-204AA, TO-3

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
94
Andra namn
2156-IRF244
HARHARIRF244

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

3LN01CPA-TB-E

NCH 1.5V DRIVE SERIES

sanyo

3LN03M-TL-E

N-CHANNEL SILICON MOSFET

fairchild-semiconductor

FQAF27N25

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

IRF231

N-CHANNEL POWER MOSFET