Tillverkare Produktnummer:
NTE2396A
Product Overview
Tillverkare:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Delenummer:
NTE2396A-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CHANNEL 100V 33A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
1195 Pcs Ny Original I Lager
12925684
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTE2396A Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bag
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1960 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
130W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
2368-NTE2396A
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
