Tillverkare Produktnummer:
JAN2N6766
Product Overview
Tillverkare:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
JAN2N6766-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Inventarier:
12925703
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
JAN2N6766 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
90mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4W (Ta), 150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
Military
Kvalifikation
MIL-PRF-19500/543
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3
Paket / Fodral
TO-204AE
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
JAN2N6766-MIL
150-JAN2N6766
JAN2N6766-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
