Tillverkare Produktnummer:

APT25SM120B

Product Overview

Tillverkare:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

APT25SM120B-DG

Beskrivning:

SICFET N-CH 1200V 25A TO247

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 1200 V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247

Inventarier:

Förfrågan Online

13261549

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

APT25SM120B Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Microsemi

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

SiCFET (Silicon Carbide)

Tömning till källspänning (Vdss)

1200 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

25A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

20V

rds på (max) @ id, vgs

175mOhm @ 10A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

72 nC @ 20 V

Vgs (max)

+25V, -10V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

175W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-247

Paket / Fodral

TO-247-3

Ytterligare information

Standard-paket

1

Andra namn

APT25SM120B-ND

150-APT25SM120B

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

microchip-technology

APT30M19JVFR

MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP

microchip-technology

APT11F80B

MOSFET N-CH 800V 12A TO247

microchip-technology

APT20M11JFLL

MOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP

microchip-technology

APT42F50S

MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK