Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
APT11F80B
Product Overview
Tillverkare:
Microchip Technology
DiGi Electronics Delenummer:
APT11F80B-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventarier:
Förfrågan Online
13261602
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
APT11F80B Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
900mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2471 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
337W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247 [B]
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
APT11F80
Datablad och dokument
Datablad
APT11F80(B,S)
High-Voltage Power Discretes and Modules
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFH10N80P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
72
DEL NUMMER
IXFH10N80P-DG
ENHETSPRIS
2.62
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STW9N80K5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
470
DEL NUMMER
STW9N80K5-DG
ENHETSPRIS
1.37
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
APT20M11JFLL
MOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP
APT42F50S
MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK
APT8015JVR
MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP
APTM10SKM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6