IXFH10N80P
Tillverkare Produktnummer:

IXFH10N80P

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXFH10N80P-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventarier:

72 Pcs Ny Original I Lager
12821729
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXFH10N80P Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AD (IXFH)
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IXFH10

Datablad och dokument

Datablad
IXF(A,P,Q,H)10N80P
Datasheets
IXFH10N80P
HTML-Datasheet
IXFH10N80P-DG

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
littelfuse

IXFY36N20X3

MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA

littelfuse

IXKC20N60C

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

littelfuse

IXFT50N60P3

MOSFET N-CH 600V 50A TO268

littelfuse

IXFH75N10

MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD