APT9M100B
Tillverkare Produktnummer:

APT9M100B

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

APT9M100B-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventarier:

Förfrågan Online
13258351
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

APT9M100B Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2605 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
335W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247 [B]
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
APT9M100

Datablad och dokument

Datablad
APT9M100(B,S) High-Voltage Power Discretes and Modules

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
microchip-technology

APT8052BFLLG

MOSFET N-CH 800V 15A TO247

microchip-technology

APTM20SKM08TG

MOSFET N-CH 200V 208A SP4

microsemi

2N6770

MOSFET N-CH 500V 12A TO3

microchip-technology

MSC035SMA070S

MOSFET N-CH 700V D3PAK