2N6770

Tillverkare Produktnummer:

2N6770

Product Overview

Tillverkare:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

2N6770-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 500V 12A TO3

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 500 V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3

Inventarier:

Förfrågan Online

13258432

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

2N6770 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Microsemi

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

500 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

120 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

4W (Ta), 150W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-3

Paket / Fodral

TO-204AE

Datablad och dokument

Datablad

2N6764,66,68,70

Ytterligare information

Standard-paket

1

Andra namn

150-2N6770

2N6770-ND

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

microchip-technology

MSC035SMA070S

MOSFET N-CH 700V D3PAK

microsemi

APT9F100S

MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

APTM20UM09SG

MOSFET N-CH 200V 195A MODULE

microchip-technology

APT84M50L

MOSFET N-CH 500V 84A TO264