Tillverkare Produktnummer:
APT22F80B
Product Overview
Tillverkare:
Microchip Technology
DiGi Electronics Delenummer:
APT22F80B-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 23A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 23A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventarier:
13261185
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
APT22F80B Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
500mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4595 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
625W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247 [B]
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
APT22F80
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SPW11N80C3FKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2520
DEL NUMMER
SPW11N80C3FKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.49
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
APT50N60JCCU2
MOSFET N-CH 600V 50A SOT227
APT11N80BC3G
MOSFET N-CH 800V 11A TO247
APT41F100J
MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP