APT11N80BC3G
Tillverkare Produktnummer:

APT11N80BC3G

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

APT11N80BC3G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 11A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventarier:

90 Pcs Ny Original I Lager
13261199
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

APT11N80BC3G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 680µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1585 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
156W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247 [B]
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
APT11N80

Datablad och dokument

Datablad
High-Voltage Power Discretes and Modules

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
microchip-technology

APT41F100J

MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP

microchip-technology

APT32M80J

MOSFET N-CH 800V 33A ISOTOP

microchip-technology

APTM100DAM90G

MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

microsemi

APT25SM120S

SICFET N-CH 1200V 25A D3