IXTR32P60P
Tillverkare Produktnummer:

IXTR32P60P

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTR32P60P-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 600 V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Inventarier:

Förfrågan Online
12820296
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXTR32P60P Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
PolarP™
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
385mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11100 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
310W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
ISOPLUS247™
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IXTR32

Datablad och dokument

Datablad
IXTR32P60P
Datasheets
IXTR32P60P
HTML-Datasheet
IXTR32P60P-DG

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
littelfuse

IXTA3N120-TRL

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

littelfuse

IXFN24N100

MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

littelfuse

IXFK38N80Q2

MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA

littelfuse

IXTA5N60P

MOSFET N-CH 600V 5A TO263