Tillverkare Produktnummer:
IXTA3N120-TRL
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTA3N120-TRL-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventarier:
12820297
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTA3N120-TRL Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
200W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263AA
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IXTA3
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
IXTA3N120-TRLTR
IXTA3N120TRL
IXTA3N120CT
IXTA3N120TR-DG
IXTA3N120 TRL
IXTA3N120DKR
IXTA3N120DKR-DG
IXTA3N120CT-DG
IXTA3N120-TRLCT
IXTA3N120TR
IXTA3N120-TRLDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFN24N100
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
IXFK38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA
IXTA5N60P
MOSFET N-CH 600V 5A TO263
