IXTQ160N10T
Tillverkare Produktnummer:

IXTQ160N10T

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTQ160N10T-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 160A TO3P
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventarier:

Förfrågan Online
12823211
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXTQ160N10T Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Trench
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
430W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
IXTQ160

Datablad och dokument

Datablad
IXT(H,Q)160N10T
Datasheets
IXTQ160N10T
HTML-Datasheet
IXTQ160N10T-DG

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FCI11N60

MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

infineon-technologies

IRF6617TRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

infineon-technologies

IRF6715MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET