FCI11N60
Tillverkare Produktnummer:

FCI11N60

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FCI11N60-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventarier:

64279 Pcs Ny Original I Lager
12823215
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FCI11N60 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Tube
Serie
SuperFET™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262 (I2PAK)
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad och dokument

Datablad
FCI11N60

Ytterligare information

Standard-paket
249
Andra namn
FAIFSCFCI11N60
2156-FCI11N60-FS

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRF6617TRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

infineon-technologies

IRF6715MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET

nxp-semiconductors

BUK9635-100A,118

MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK