Tillverkare Produktnummer:
IXFT6N100F
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFT6N100F-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268
Inventarier:
12808630
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFT6N100F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
HiPerRF™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1770 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
180W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-268
Paket / Fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grundläggande produktnummer
IXFT6
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPS60R650CEAKMA1
CONSUMER
TN0606N3-G
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
CPC3720C
MOSFET N-CH 350V SOT89
