Tillverkare Produktnummer:
IXFN24N100F
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFN24N100F-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 24A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventarier:
12808662
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFN24N100F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
HiPerRF™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
390mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
600W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227B
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
IXFN24
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
10
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
CPC3730CTR
MOSFET N-CH 350V SOT89
TN2510N8-G
MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
IRL60SL216
MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3
